Au/Si3N4/4H n-SiC (MYY) yapıların akım iletim mekanizması ve elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi

Abstract

Au/Si3N4/4H n-SiC metal-yalıtkan-yarıiletken (MYY) yapıların/Schottky diyotların akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V), kondüktans-voltaj (G/w-V) karakteristikleri, 160-400 K sıcaklık aralığında ölçüldü. Termoiyonik emisyon (TE) teorisine göre; I-V karakteristiklerinden elde edilen sıfır beslem engel yüksekliği (?Bo ) ve idealite faktörünün (n) sıcaklığa bağlı olduğu gözlendi. ?Bo 'nin artan sıcaklıkla artmasına karşın idealite faktörü (n)'nün ise azalmakta olduğu gözlendi. Bu davranış, 4H n-SiC/Si3N4 ara yüzeydeki Schottky engel homojensizliğine atfedildi. Bu engel homojensizliğinin bir Gaussian dağılım (GD) gösterdiğine delil elde etmek için ?Bo-q/2kT grafiği çizildi ve bu grafikten ortalama engel yüksekliği ?Bo = 1.4 eV, standart sapmanın ise ?o= 0.169 V civarında olduğu gözlendi. Böylece modifiye edilen [ln(Io/T2)-q2?o2/2k2T2]-q/kT grafiğinden, ?Bo ve Richardson sabiti A* değerleri sırasıyla, 1.53 eV ve 137.21 Acm-2K-2 olarak elde edildi. Bu değer 4H n-SiC için bilinen 146 A K-2 cm-2 teorik Richardson sabiti değerine oldukça yakındır. Sonuç olarak, Au/Si3N4/4H n-SiC diyotların doğru-beslem I-V karakteristiklerinin sıcaklığa bağlılığı, engel yüksekliklerinin TE mekanizması temelinde bir GD ile başarılı bir şekilde açıklanabileceği görüldü. Ayrıca Au/Si3N4/4H n-SiC Schottky diyotlarının C-V ve G/w-V karakteristikleri 160-400 K sıcaklık ve 10 -1000 kHz frekans aralığında incelendi.

The current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/w-V) characteristics of Au/Si3N4/4H n-SiC metal-insulator-semiconductor (MIS) structure/ Schottky diodes were measured in the temperature range of 160-400 K. The calculated zero bias barrier height (?Bo) and the ideality factor (n) values according to thermionic emission (TE) theory show strong temperature dependence. While ?Bo increases, n decreases with increasing temperature. Such behaviour is attributed to inhomogeneties of Schottky barrier by assuming a Gaussian distribution (GD) of barrier heights (BHs) at 4H n-SiC/Si3N4 interface. We attempted to draw a ?Bo vs q/2kT plot to obtain evidence of a Gaussian distribution of the BHs and the values of ?Bo = 1.4 eV and ?o= 0.169 V for the mean BH and standard deviation at zero bias, respectively, have been obtained from this plot. Thus, the modified [ln(Io/T2)-q2?o2/2k2T2] vs q/kT plot gives ?Bo and A* as 1.53 eV and 137.21 Acm-2K-2, respectively. This value is very close to the theoretical value of 146 A K-2 cm-2 for n-type SiC. Hence, it has been concluded that the temperature dependence of the forward I-V characteristics of the Au/Si3N4/4H n-SiC structure can be successfully explained on the basis of TE mechanism with a GD of the BHs. The forward and reverse bias C-V and G/w-V characteristics of Au/Si3N4/4H n-SiC MIS Schottky diodes have been investigated a wide temperature and the frequency range of 160-400 K and 10-1000 kHz, respectively.