The Analysis of Inhomogeneous Barrier Height in In/SnTe/Si/Ag Diode

Basit Öğe Kaydı
dc.authoridGüllü, Hasan Hüseyin / 0000-0001-8541-5309
dc.authoridYıldız, Dilber Esra / 0000-0003-2212-199X
dc.authorwosidGüllü, Hasan Hüseyin / F-7486-2019
dc.authorwosidYıldız, Dilber Esra / AAB-6411-2020
dc.contributor.authorGüllü, Hasan Hüseyin
dc.contributor.authorYıldız, Dilber Esra
dc.date.accessioned2021-11-01T15:01:49Z
dc.date.available2021-11-01T15:01:49Z
dc.date.issued2018
dc.departmentHitit Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü
dc.description.abstractSnTe thin film layer was fabricated by magnetron sputtering technique on n-Si substrate, and the electrical properties of the In/SnTe/Si/Ag diode structure was investigated by using temperature dependent forward bias current-voltage (I-V) measurements. The main diode parameters were calculated according to the thermionic emission (TE) model and they were found in an abnormal behavior with change in temperate in which zero-bias barrier height (Phi(B0)) increases and ideality factor (n) decreases with increasing temperature. Therefore, the total current flow though the junction was expressed by the Gaussian distribution (GD) of barrier height. The plot of Phi(B0) vs q/2kT showed the existence of inhomogeneous barrier formation and evidence for the application of Gaussian function to identify the distribution of low barrier height patches. The mean barrier height was found as 1.274 with the 0.166 eV standard deviation. From the modified Richardson plot, Richardson constant was calculated as 119.5A/cm(2)K(2) in very close agreement with the reported values. Additionally, the effects of the series resistance (R-s) were analyzed by using Cheung's function. Distribution of the interface states (D-it) were extracted from the I-V characteristics and found in increasing behavior with decreasing temperature.
dc.description.abstractSnTe ince film katmanı magnetron saçtrıma tekniği ile n-Si alttaş üzerine büyütüldü, ve In/SnTe/Si/Ag diyot yapısının elektriksel özellikleri, sıcaklık bağımlı düz besleme akım-voltaj (I-V) ölçümleri kullanılarak incelendi. Temel diyot parametreleri termiyonik emisyon (TE) modeli temel alınarak hesaplandı ve sıcaklık artışı ile sıfır-potansiyel engel yüksekliğinin (? B0 ) artışı ve idealite faktörünün (n) azalışı gibi ideal olmayan bir davranışta oldukları bulundu. Bu nedenle, eklemdeki toplam akım iletimi, engel yüksekliğinin Gauss dağılımı (GD) ile açıklandı. ? B0 vs q ? 2kT eğrisi, yapıdaki homojen olmayan engel oluşumunu ve GD kullanılarak düşük bariyerli local bölgelerin dağılımının açıklanabileceğini gösterdi. 0.166 eV standart sapma ile birlikte ortalama engel yüksekliği 1.274 eV olarak bulundu. Etkin Richardson eğrisinden, Richardson sabiti, literatürdeki değerlere yakın bir değerde, 119.5A/cm 2 K 2 olarak hesaplandı. Ayrıca, Cheung fonksiyonu kullanılarak yapıdaki seri direnç (R S ) etkisi analiz edildi. Arayüzey durumların yoğunluğu (D it ) diyot yapısının I-V karakteristiğinden elde edildi ve azalan sıcaklık değerlerine göre artış yönünde bir davranış gösterdiği bulundu.
dc.identifier.citationGüllü, H. H., & Yildiz, D. E. (2018). The analysis of inhomogeneous barrier height in In/SnTe/Si/Ag diode. Politeknik Dergisi, 21(4), 919-925.
dc.identifier.doi10.2339/politeknik.389625
dc.identifier.endpage925en_US
dc.identifier.issn1302-0900
dc.identifier.issn2147-9429
dc.identifier.issue4en_US
dc.identifier.startpage919en_US
dc.identifier.urihttps://doi.org/10.2339/politeknik.389625
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/11491/6693
dc.identifier.volume21en_US
dc.identifier.wosWOS:000448383600020
dc.identifier.wosqualityN/A
dc.indekslendigikaynakWeb of Science
dc.indekslendigikaynakTR-Dizin
dc.institutionauthorYıldız, Dilber Esra
dc.language.isoen
dc.publisherGazi Univ
dc.relation.ispartofJournal Of Polytechnic-Politeknik Dergisi
dc.relation.publicationcategoryMakale - Uluslararası Hakemli Dergi - Kurum Öğretim Elemanı
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectSputtering techniqueen_US
dc.subjectBarrier heighten_US
dc.subjectGaussian distributionen_US
dc.subjectInterface statesen_US
dc.titleThe Analysis of Inhomogeneous Barrier Height in In/SnTe/Si/Ag Diode
dc.title.alternativeIn/SnTe/Si/Ag Diyotunda Homojen Olmayan Engel Yüksekliği Analizien_US
dc.typeArticle

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim
İsim:
hasan-huseyin-gullu2018.pdf
Boyut:
2.78 MB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
Açıklama:
Tam Metin / Full Text
İndir

Koleksiyon

WoS İndeksli Yayınlar Koleksiyonu
Makale Koleksiyonu
TR-Dizin İndeksli Yayınlar Koleksiyonu