Al/Ni(II) nikotinat / p-si ve Al/Zn(II) nikotinat / p-Si Schottky fotodiyotların elektriksel özellikleri
Yükleniyor...
Dosyalar
Tarih
2025
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Hitit Üniversitesi
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
In order to fabricate the semiconductor-based photodetectors, Ni and Zn-centered nicotinate complexes were synthesized chemically. The synthesized Ni and Zn-centered nicotinates (Ni-nicotinate and Zn-nicotinate) were analyzed using ultraviolet-visible (UV-Vis) spectrometry and thermogravimetric analysis (TGA) techniques. The synthesized complex materials were coated between Al and p-Si by spin coating technique, and Al/Ni (II) Nicotinate/p-Si and Al/Zn (II) Nicotinate/p-Si sandwich structures were obtained. The photoelectrical characteristics of the produced devices were analyzed by photo-transient (I-t) and current-voltage (I-V) measurements under dark and different luminous power intensities. In light of the measurements made, series resistance (Rs), ideality factor (n), and barrier height values (), which are very important electrical parameters, were obtained. Various parameters such as specific detectivity, responsivity, and photosensitivity were calculated using I-t analysis based on exposed light power. Also external quantum efficiency (EQE) values were calculated with I-t measurements carried out under lighting conditions at different wavelengths. Last of all, the Al/Ni (II) Nicotinate/p-Si and Al/Zn (II) Nicotinate/p-Si structures have good performance in photodiode designs and can be developed for use in optoelectronic technologies.
Yarı iletken tabanlı fotodedektörlerin üretilmesi amacıyla, Ni ve Zn merkezli nikotinat (Ni(II) nikotinat ve Zn(II) nikotinat) kompleksleri kimyasal olarak sentezlendi. Sentezlenen Ni(II) ve Zn(II) nikotinatlar, ultraviyole-görünür ışık (UV-Vis) spektrometresi ve termogravimetrik analiz (TGA) teknikleri kullanılarak analiz edildi. Sentezlenen kompleks malzemeler, Al ve p-Si arasına döner kaplama tekniği ile kaplandı ve Al/Ni(II) nikotinat/p-Si ve Al/Zn(II) nikotinat/p-Si sandviç yapıları elde edildi. Üretilen cihazların fotoelektrik karakteristikleri, karanlık ve farklı ışık şiddetleri altında fotoakım-zaman (I-t) ve akım-gerilim (I-V) ölçümleri ile analiz edildi. Yapılan ölçümler ışığında, MY/MYY diyotlar için önemli elektriksel parametreler olan seri direnç (Rs) , idealite faktörüc(n) ve bariyer yüksekliği (FBo) değerleri belirlendi. Belirli algılama, duyarlılık ve fotoduyarlılık gibi çeşitli parametreler, ışık şiddetine bağlı I-t analizi kullanılarak hesaplandı. Aynı zamanda farklı dalga boylarında aydınlatma koşulları altında gerçekleştirilen I-t ölçümleriyle harici kuantum verimliliği (EQE) değerleri hesaplandı. Sonuç olarak, Al/Ni (II) nikotinat/p-Si ve Al/Zn (II) nikotinat/p-Si yapıların fotodiyot tasarımı olarak iyi bir performansa sahip olduğu ve optoelektronik teknolojilerde kullanım için geliştirilebilir olduğu belirlendi.
Yarı iletken tabanlı fotodedektörlerin üretilmesi amacıyla, Ni ve Zn merkezli nikotinat (Ni(II) nikotinat ve Zn(II) nikotinat) kompleksleri kimyasal olarak sentezlendi. Sentezlenen Ni(II) ve Zn(II) nikotinatlar, ultraviyole-görünür ışık (UV-Vis) spektrometresi ve termogravimetrik analiz (TGA) teknikleri kullanılarak analiz edildi. Sentezlenen kompleks malzemeler, Al ve p-Si arasına döner kaplama tekniği ile kaplandı ve Al/Ni(II) nikotinat/p-Si ve Al/Zn(II) nikotinat/p-Si sandviç yapıları elde edildi. Üretilen cihazların fotoelektrik karakteristikleri, karanlık ve farklı ışık şiddetleri altında fotoakım-zaman (I-t) ve akım-gerilim (I-V) ölçümleri ile analiz edildi. Yapılan ölçümler ışığında, MY/MYY diyotlar için önemli elektriksel parametreler olan seri direnç (Rs) , idealite faktörüc(n) ve bariyer yüksekliği (FBo) değerleri belirlendi. Belirli algılama, duyarlılık ve fotoduyarlılık gibi çeşitli parametreler, ışık şiddetine bağlı I-t analizi kullanılarak hesaplandı. Aynı zamanda farklı dalga boylarında aydınlatma koşulları altında gerçekleştirilen I-t ölçümleriyle harici kuantum verimliliği (EQE) değerleri hesaplandı. Sonuç olarak, Al/Ni (II) nikotinat/p-Si ve Al/Zn (II) nikotinat/p-Si yapıların fotodiyot tasarımı olarak iyi bir performansa sahip olduğu ve optoelektronik teknolojilerde kullanım için geliştirilebilir olduğu belirlendi.
Açıklama
Anahtar Kelimeler
Ni (II) nikotinat, Zn (II) nikotinat, Ni (II) Nicotinate, Zn (II) Nicotinate
